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DTB結晶器更適合哪些場(chǎng)合應用?

更新時(shí)間:2022-02-21      點(diǎn)擊次數:3526
  DTB結晶器專(zhuān)為混合懸浮產(chǎn)品出料設計,適用于真空冷卻結晶,蒸發(fā)速率穩定。這是一種晶漿內循環(huán)結晶器,其典型特點(diǎn)是模具內設有攪拌器、導筒和擋板,并配有配套的熱交換裝置和細粒消除裝置。這種設計用于不需要加熱(或少量加熱)的場(chǎng)合,可設計成結構緊湊、投資少的設備。
  晶漿通過(guò)內置的攪拌器從內導筒底部上升,與液面過(guò)飽和度大的區域接觸,消耗過(guò)飽和度。它也沿著(zhù)內導筒和外導筒之間的環(huán)形局部區域下降。在結晶器筒體與外導筒之間的環(huán)形間隙處,晶漿與澄清液分離,晶漿繼續向下循環(huán)。清液從外環(huán)形間隙進(jìn)入細晶消除裝置,溶解多余的細晶核,保證晶核不會(huì )過(guò)多,使晶體的粒度分布更加均勻。

 

DTB結晶器

 

  在DTB結晶器蒸發(fā)結晶過(guò)程中,過(guò)飽和的產(chǎn)生速率取決于蒸發(fā)速率,即設備的蒸發(fā)強度。蒸發(fā)強度越大,過(guò)飽和的產(chǎn)生越快,越容易形成過(guò)高的過(guò)飽和。自發(fā)成核的消除主要取決于晶體生長(cháng)的過(guò)程。如果結晶器中有足夠的晶面和較快的生長(cháng)速度,蒸發(fā)產(chǎn)生的過(guò)飽和度可以全部在晶面上生長(cháng),溶液的過(guò)飽和度不會(huì )使溶質(zhì)通過(guò)成核過(guò)程消除過(guò)飽和度,因為它使溶液過(guò)飽和,以免產(chǎn)生大量晶核。
  如果溶液中的晶面不足,晶體生長(cháng)不足以消除蒸發(fā)引起的過(guò)飽和,則溶液的過(guò)飽和度過(guò)高,處于不穩定區。溶液的過(guò)飽和度會(huì )消耗自發(fā)成核過(guò)程中的過(guò)飽和度,從而形成大量細小顆粒。因此,需要控制蒸發(fā)結晶過(guò)程中的蒸發(fā)強度,使結晶系統的過(guò)飽和度始終在結晶亞穩區內,以保證所設計的蒸發(fā)結晶設備能夠生產(chǎn)出符合要求的產(chǎn)品。
  晶體在生長(cháng)區的停留時(shí)間越長(cháng),晶體生長(cháng)時(shí)間越長(cháng),晶體粒徑越大。大尺寸晶體的形成需要足夠的生長(cháng)時(shí)間?;跍蚀_的結晶動(dòng)力學(xué)數據,我們將根據設計任務(wù)中所需的晶體生長(cháng)速率和粒徑設計合適的DTB結晶器。
 

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